IGBT的全称是 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）。它是一种功率半导体器件，结合了金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管的特点。IGBT具有高输入阻抗、低驱动电流、高击穿电压和大饱和电流等特点，广泛应用于电力电子设备的开关和转换，尤其在高压大电流应用中占据主导地位。